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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MINIMOLD PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.01 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 12000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4954-T82 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD |
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| 2SC4955 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC4955(NE68533) | ETC |
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Discrete |
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| 2SC4955-T1 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC4955-T1FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD |
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| 2SC4955-T1FB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD |
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| 2SC4955-T1T83 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD |
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| 2SC4955-T1T83-A | RENESAS |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC4955-T2 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC4955-T2FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD |
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