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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.01 A | 基于收集器的最大容量： | 0.4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 6 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4956-T1 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD |
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| 2SC4956-T1T82 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
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| 2SC4956-T2 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD |
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| 2SC4956-T2T82 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD |
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| 2SC4956-T82 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD |
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| 2SC4957 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD |
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| 2SC4957 | RENESAS |
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NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR |
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| 2SC4957(NE68539E) | ETC |
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Discrete |
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| 2SC4957-A | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SC4957-T1 | NEC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD |
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