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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4958-T82 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MIN |
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| 2SC4959 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
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| 2SC4959(NE68530) | ETC |
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Discrete |
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| 2SC4959-T1 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
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| 2SC4959-T1T83 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
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| 2SC4959-T2 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
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| 2SC496 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-126VAR |
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| 2SC4960 | PANASONIC |
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Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching) |
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| 2SC4960 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC4960 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 800V 1A 3-Pin TOP-3F-A1 |
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