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2SC4959-T1T83

更新时间： 2024-11-12 14:46:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	41K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,

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技术参数
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2SC4959-T1T83 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4959-T1T83 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4959

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

SUPER MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

• Low Noise, High Gain

• Low Voltage Operation

• Low Feedback Capacitance

Cre = 0.4 pF TYP.

in m illim eters

2.1 ± 0.1

1.25 ± 0.1

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

Embossed tape 8 mm wide.

Pin3 (Collector) face to perfora-

tion side of the tape.

2SC4959–T1

2SC4959–T2

3 Kpcs/Reel.

Marking

Embossed tape 8 mm wide.

Pin1 (Emitter), Pin2 (Base) face

to perforation side of the tape.

* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation

sample.

Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4959)

PIN CONNECTIONS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

1. Em itter

2. Base

3. Collector

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

V^CEO

VEBO

I^C

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

150

T^stg

–65 to +150

Caution; Electrostatic sensitive Device.

Document No. P10382EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2410)

The m ark ★ show s revised points.

Date Published July 1995 P

Printed in Japan

1995

1992

12 3 4 5 6

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与2SC4959-T1T83相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4959-T2	NEC	获取价格	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC496	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-126VAR
2SC4960	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching)
2SC4960	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
2SC4960	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 800V 1A 3-Pin TOP-3F-A1
2SC4960A	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching)
2SC4961	ETC	获取价格
2SC4962	ETC	获取价格
2SC4963	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4963	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors