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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 450 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4912T107/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4913 | HITACHI |
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Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SC4913 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SC4913-E | RENESAS |
获取价格 |
0.02A, 2000V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| 2SC4915 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (HIGH FREQUENCY, FM,RF,MIX, IF AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC4915_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type High Frequency Amplifier Applications |
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| 2SC4915O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SOT-416 |
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| 2SC4915-O | TOSHIBA |
获取价格 |
High Frequency Amplifier Applications |
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| 2SC4915O(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,20MA I(C),SOT-416 |
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| 2SC4915-O,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANS RF NPN 30V 550MHZ SSM |
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