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2SC4805G-R

更新时间： 2024-11-13 20:39:47

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	249K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SC4805G-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.065 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4805G-R 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SC4805G

Silicon NPN epitaxial planar type

For 2 GHz band low-noise amplification

■ Package

■ Features

•

Code

• High transition frequency f_T

SMini3-F2

Marking Symbol: 3S

Pin Name

1: Base

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing

•

2: Emitter

3: Collector

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Collector current

I_C

P_C

T_j

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Transition frequency

V_CB= 10 V, I_E= 0

V_EB= 1 V, I_C= 0

V_CE= 8 V, I_C= 20 mA

300

f_T

V_CE= 8 V, I_C= 15 mA, f = 1.5 GHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

7.0

8.5

0.6

GHz

Collector output capacitance

C_ob

1.0

(Common base, input open circuited)

Forward transfer gain

Maximum unilateral power gain

Noise figure

S_21e²V_CE= 8 V, I_C= 15 mA, f = 1.5 GHz

G_UM

V_CE= 8 V, I_C= 15 mA, f = 1.5 GHz

V_CE= 8 V, I_C= 7 mA, f = 1.5 GHz

2.2

3.0

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

No-rank

50 to 300

h_FE

50 to 120

3SQ

100 to 170

3SR

150 to 300

3SS

Marking symbol

Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.

Publication date: May 2007

SJC00367AED

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