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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.08 A | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 6000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4809 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing) |
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| 2SC4809G | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, High Frequency Band, Silicon, N |
|
| 2SC4809J | PANASONIC |
获取价格 |
For high-frequency amplification/oscillation/mixing |
|
| 2SC4809P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-416 |
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| 2SC4809Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-416 |
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| 2SC4809R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-416 |
|
| 2SC4809TX | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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| 2SC4810 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SC4810 | RENESAS |
获取价格 |
5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| 2SC4810-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
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