2SC4811

更新时间： 2024-11-12 22:52:43

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管
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6页	132K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SC4811 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC4811 数据手册

DATA SHEET

DARLINGTON POWER TRANSISTOR

2SC4811

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SC4811 is a high-speed Darlington power transistor. This transistor is ideal for high-precision control such

as PWM control for pulse motors or brushless motors in OA and FA equipment.

In addition, this transistor features a package that can be auto-mounted in radial taping specifications, thus

contributing to mounting cost reduction.

FEATURES

• Auto-mounting possible in radial taping specifications

• Resin-molded insulation type package with power rating of 1.8 W in stand-alone conditions

• On-chip C-to-E reverse diode

• Fast switching speed

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

P^T**

Ratings

100

Unit

100

8.0

0.8

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.8

°C

T^j

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

** T^a= 25°C

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15602EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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与2SC4811相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4811K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-126VAR
2SC4811-K-AZ	RENESAS	获取价格	8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4811K-T-AZ	RENESAS	获取价格	2SC4811K-T-AZ
2SC4811L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-126VAR
2SC4811-L	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4811-L-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4811M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-126VAR
2SC4813	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SC4814	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SC4814(0)-T-AZ	RENESAS	获取价格	2SC4814(0)-T-AZ

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