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2SC4809G

更新时间： 2024-09-25 21:11:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 197K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SC4809G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最高频带：HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：27000 MHz
Base Number Matches：1

2SC4809G 数据手册

 浏览型号2SC4809G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4809G的Datasheet PDF文件第3页 
Transistors  
2SC4809  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For high-frequency amplification/oscillation/mixing  
+0.1  
+0.1  
0.2  
0.15  
–0.05  
–0.05  
■ Features  
3
• High transition frequency fT  
• Small collector output capacitance (Common base, input opecir-  
cuited) Cob and reverse transfer capacitance (Common emitteCrb  
• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipmnt and  
automatic insertion through the tape packing  
) (0.5)  
1.0 1  
1.6 1  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 2°C  
5˚  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) EO  
Emitter-base voltage (CollectoVEBO  
15  
10  
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
3
EIAJ: SC-75  
SSMini3-G1 Package  
Collector current  
IC  
PC  
Tj  
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperatre  
Storage temperate  
125  
Marking Symbol: 1S  
125  
T
−55 to +125  
■ EectrCharacterisics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Min  
10  
3
Typ  
Max  
Unit  
V
Colleor-emiter volage (Basopen)  
Emitter-base voltge (Collector pen)  
Collecff curnt (Emitter open)  
IC = 2 mA, IB = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
V
VCB = 10 V, IE = 0  
1
µA  
1
Fonsfer ratio *  
hFE  
VCE = 4 V, IC = 5 mA  
hFE2: VCE = 4 V, IC = 100 µA  
hFE1: VCE = 4 V, IC = 5 mA  
75  
400  
1.60  
hFE ra
∆hFE  
0.75  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 20 mA, IB = 4 mA  
0.5  
2.7  
V
GHz  
pF  
fT  
VCB = 4 V, IE = −5 mA, f = 200 MHz  
1.4  
1.9  
1.4  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 4 V, IE = 0, f = 1 MHz  
(Common base, input open circuited)  
Reverse transfer capacitance  
(Common emitter)  
Crb  
VCB = 4 V, IE = 0, f = 1 MHz  
0.45  
pF  
Collector-base parameter  
rbb' • CC VCB = 4 V, IE = −5 mA, f = 31.9 MHz  
11  
ps  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Rank classification  
*
Rank  
P
Q
R
hFE  
75 to 130  
110 to 220  
200 to 400  
2: ∆hFE = hFE2 / hFE1  
*
Publication date: February 2003  
SJC00171CED  
1
123

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与2SC4809G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4809J PANASONIC

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 		For high-frequency amplification/oscillation/mixing
2SC4809P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-416
2SC4809Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-416
2SC4809R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-416
2SC4809TX PANASONIC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
2SC4810 NEC

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 		NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SC4810 RENESAS

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 		5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4810-AZ NEC

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4810-K NEC

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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