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2SC4742_2015

更新时间： 2024-10-28 01:18:51

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4742_2015 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SC4742

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Built-in damper diode

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·Character display horizontal

deflection output

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open base

1500

Open collector

Collector current

I_C(peak)

I_C(surge)

Collector current-peak

Collector current-surge

C to E diode forward current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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