2SC4763

更新时间： 2024-11-17 06:19:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	160K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4763 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC4763 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4763

DESCRIPTION

·With TO-3P(H)IS package

·High speed ,high speed

·Low saturation voltage

·Bult-in damper diode

APPLICATIONS

·Horizontal deflection output for medium

resolution display

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

600

UNIT

Open base

Open collector

±8

I_CM

Collector current-Peak

Base current

±16

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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