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2SC4755R

更新时间： 2024-11-17 19:26:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 173K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, SC-70, 3 PIN

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2SC4755R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.2 A
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：500 MHz
最大关闭时间（toff）：15 ns最大开启时间（吨）：17 ns
Base Number Matches：1

2SC4755R 数据手册

 浏览型号2SC4755R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4755R的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SC4755  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For high speed switching  
Unit: mm  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
Features  
High-speed switching.  
■
●
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
●
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipmenand  
automatic insertion through the tape packing and te magazine  
packing.  
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)  
■
Parameter  
Syl  
VS  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Uit  
V
0.2±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter volta
Emitter to base voltage  
Peak collector cuent  
Collector cuent  
25  
20  
V
5
V
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–70  
S–Mini Type Package  
00  
mA  
mA  
mW  
˚C  
IC  
200  
Collectoower dsipation  
Junion terature  
Storage ature  
PC  
0  
Marking symbol : DV  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteriscs (Ta=25˚)  
■
eter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
40  
typ  
max  
0.1  
Unit  
µA  
Coent  
Emitter ent  
VCB = 10V, IE = 0  
IEBO  
VEB = 4V, C = 0  
0.1  
µA  
*
Forward cunt transfer ratio  
hFE  
VCE = 1V, IC = 10mA  
200  
0.25  
1.0  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 10mA, IB = 1mA  
0.17  
0.76  
500  
2
V
V
IC = 10mA, IB = 1mA  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
fT  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
200  
MHz  
pF  
ns  
Cob  
ton  
toff  
tstg  
4
17  
Turn-off time  
Refer to the measurment circuit  
15  
ns  
Storage time  
7
ns  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
P
Q
R
40 ~ 80  
DVP  
60 ~ 120  
DVQ  
90 ~ 200  
DVR  
Marking Symbol  
1
123

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