2SC4765

更新时间： 2024-11-19 06:21:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	281K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC4765 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC4765 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC4765

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1700V (Min)

·High Switching Speed

·Low Saturation Voltage

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Horizontal deflection output for medium resolution display.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1700

600

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Pulse

Base Current- Continuous

±5

I_CP

±10

2.5

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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