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2SC4769

更新时间： 2024-02-02 20:09:39

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	175K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4769 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	3
最大降落时间（tf）：	200 ns	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	3 W
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	3200 ns
VCEsat-Max：	5 V

2SC4769 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4769

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High breakdown voltage, high reliability.

·High speed

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·Ultrahigh-definition color display

·Horizontal deflection output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

1500

Open base

800

Open collector

I_CM

Collector current-peak

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC4769_15	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC4769_2015	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC4769-1	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 800V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
2SC4769-2	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 800V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
2SC4769-3	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 800V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
2SC477	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 32V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-18	获取价格