Datasheet > 2SC4755P

2SC4755P

更新时间： 2024-11-19 19:26:43

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	173K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, SC-70, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC4755P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	500 MHz
最大关闭时间（toff）：	15 ns	最大开启时间（吨）：	17 ns
Base Number Matches：	1

2SC4755P 数据手册

Transistor

2SC4755

Silicon NPN epitaxial planer type

For high speed switching

Unit: mm

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

High-speed switching.

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

0.2±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

2:Emitter

3:Collector

EIAJ:SC–70

S–Mini Type Package

300

˚C

I_C

200

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

Marking symbol : DV

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

0.1

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 10V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 4V, I_C= 0

0.1

µA

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 1V, I_C= 10mA

200

0.25

1.0

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 10mA, I_B= 1mA

0.17

0.76

500

I_C= 10mA, I_B= 1mA

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

f_T

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

200

MHz

C_ob

t_on

t_off

t_stg

Turn-off time

Refer to the measurment circuit

Storage time

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

40 ~ 80

DVP

60 ~ 120

DVQ

90 ~ 200

DVR

Marking Symbol

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SC4755P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4755Q	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, SC-70, 3 PIN
2SC4755R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, SC-70, 3 PIN
2SC4757	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SC4758	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SC4759	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SC4761	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SC4762	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4762	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4762	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4762_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors

与2SC4755P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC4755P

2SC4755P 技术参数

2SC4755P 数据手册

与2SC4755P相关器件

与2SC4755P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC4755P

2SC4755P 技术参数

2SC4755P 数据手册

与2SC4755P相关器件

与2SC4755P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？