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2SC4569-T75

更新时间： 2024-11-23 14:33:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	42K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SC-59, 3 PIN

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2SC4569-T75 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SC-59, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.06 A
基于收集器的最大容量：	1.2 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4569-T75 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4569

UHF TV TUNER OSC/MIXER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC4569 is an NPN silicon epitaxial transistro intended for use as

UHF oscillator and UHF mixer in a tuner of TV receiver.

(Units: mm)

2.8±0.2

1.5

+0.1

−0.15

0.65

FEATURES

•

High gain bandwidty product

f^T= 5.0 GHz TYP.

Low output capacitance

C^ob= 0.9 pF TYP.

Surface mount package

EIAJ: SC-59

Marking

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Maximum Voltages and Current

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

3.0

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

150

3. Collector

T^j

125

T^stg

55 to +125

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Collector Saturation Voltage

DC Current Gain

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

TEST CONDITIONS

V^CB= 15 V, I^E= 0

I^CBO

0.1

0.5

200

I^EBO

V^EB= 1 V, I^C= 0

V^CE(sat)

h^FE

h^EF= 10, I^C= 5 mA

100

5.0

0.9

V^CE= 5 V, I^C= 5 mA *1

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

f^T

GHz

V^CE= 5 V, I^C= 5 mA f = 1.0 GHz

V^CB= 5 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

V^CE= 5 V, I^C= 5 mA, f = 1.0 MHz

C^ob

1.2

Insertion Gain

S^21e

5.0

*1 Pulsd: PW 35 S, Dyty Cycle 2 %

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

T75

T76

T77

40 to 80

60 to 120

100 to 200

Document No. P10374EJ3V1DS00 (3rd edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1989

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4569T76	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 60MA I(C) \| TO-236
2SC4569-T76	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4569T77	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 60MA I(C) \| TO-236
2SC4569-T77	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4570	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4570	ISC	获取价格	isc Silicon NPN RF Transistor
2SC4570(NE58130)	ETC	获取价格	Discrete
2SC4570-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4570-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4570-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili

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