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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.06 A | 基于收集器的最大容量： | 1.2 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5000 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4570 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
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| 2SC4570 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN RF Transistor |
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| 2SC4570(NE58130) | ETC |
获取价格 |
Discrete |
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| 2SC4570-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4570-T1 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
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| 2SC4570-T1-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4570-T1T72 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4570-T1-T72 | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC4570-T1T72-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4570-T1T73 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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