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2SC4570

更新时间： 2024-01-22 17:31:37

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
9页	280K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

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2SC4570 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4570 数据手册

INCHANGE Semiconductor

iscRF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

2SC4570

DESCRIPTION

·High Current-Gain—Bandwidth Product

f_T= 5.5 GHz TYP. @V_CE= 5 V, I_C= 5 mA, f = 1.0 GHz

·Low C_OB

0.7pF TYP. @V_CB= 5 V, I_E= 0, f = 1.0 MHz

APPLICATIONS

·Designed for use in UHF oscillator and mixer.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

3.0

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

0.12

125

T_J

Junction Temperature

℃

Storage Temperature Range

-55~125

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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