2SC4569

更新时间： 2024-11-18 22:40:03

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管电视光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	53K
描述
UHF TV TUNER OSC/MIXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SC4569 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SC-59, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.06 A
基于收集器的最大容量：	1.2 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4569 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4569

UHF TV TUNER OSC/MIXER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC4569 is an NPN silicon epitaxial transistro intended for use as

UHF oscillator and UHF mixer in a tuner of TV receiver.

(Units: mm)

2.8±0.2

1.5

+0.1

−0.15

0.65

FEATURES

•

High gain bandwidty product

f^T= 5.0 GHz TYP.

Low output capacitance

C^ob= 0.9 pF TYP.

Surface mount package

EIAJ: SC-59

Marking

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Maximum Voltages and Current

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

3.0

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

150

3. Collector

T^j

125

T^stg

55 to +125

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Collector Saturation Voltage

DC Current Gain

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

TEST CONDITIONS

V^CB= 15 V, I^E= 0

I^CBO

0.1

0.5

200

I^EBO

V^EB= 1 V, I^C= 0

V^CE(sat)

h^FE

h^EF= 10, I^C= 5 mA

100

5.0

0.9

V^CE= 5 V, I^C= 5 mA *1

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

f^T

GHz

V^CE= 5 V, I^C= 5 mA f = 1.0 GHz

V^CB= 5 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

V^CE= 5 V, I^C= 5 mA, f = 1.0 MHz

C^ob

1.2

Insertion Gain

S^21e

5.0

*1 Pulsd: PW 35 S, Dyty Cycle 2 %

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

T75

T76

T77

40 to 80

60 to 120

100 to 200

Document No. P10374EJ3V1DS00 (3rd edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1989

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4569-EB	NEC	获取价格	暂无描述
2SC4569-EB	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-59, 3 PIN
2SC4569-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4569-GB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4569-GB	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-59, 3 PIN
2SC4569T75	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 60MA I(C) \| TO-236
2SC4569-T75	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4569-T75	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-59, 3 PIN
2SC4569T76	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 60MA I(C) \| TO-236
2SC4569-T76	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili

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