2SC4159

更新时间： 2024-11-20 06:20:27

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	224K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC4159 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC4159

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= 160V (Min)

·Large Current Capacity

·Complement to Type 2SA1606

APPLICATIONS

·Designed for high-voltage switching, AF power amplifier,

100W output predrivers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

180

160

6.0

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

1.5

I_CM

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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