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2SC4159E

更新时间: 2024-02-12 06:07:21
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 239K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220

2SC4159E 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:160 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:15 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SC4159E 数据手册

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