2SC4160

更新时间： 2024-01-11 07:51:37

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	169K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4160 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz

2SC4160 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4160

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·High breakdown voltage.

·High reliability.

·Fast switching speed

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·400V/4A switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

500

Open base

400

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

1.5

T_C=25℃

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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