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2SC4163N

更新时间： 2024-09-25 20:15:19

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无锡固电 - ISC		/
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4页	119K
描述
Transistor

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2SC4163N 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC4163N 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4163

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·High breakdown voltage.

·High reliability.

·Fast switching speed

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·Switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

500

Open base

400

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

T_C=25℃

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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