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2SC4160N

更新时间： 2024-02-07 17:15:29
品牌 Logo 应用领域
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页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220

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2SC4160N 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：25 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz

2SC4160N 数据手册

 浏览型号2SC4160N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4160N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4160N的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number:ENN2481C  
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
2SC4160  
400V/4A Switching Regulator Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· High breakdown voltage.  
· High reliability.  
2041A  
· Fast switching speed (t =0.1µs typ).  
· Wide ASO.  
· Adoption of MBIT process.  
· Micaless package facilitating mounting.  
f
[2SC4160]  
4.5  
10.0  
2.8  
3.2  
2.4  
1.6  
1.2  
0.7  
0.75  
1
2
3
1 : Base  
2.55  
2.55  
2 : Collector  
3 : Emitter  
2.55  
2.55  
Specifications  
SANYO : TO-220ML  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
500  
400  
7
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CEO  
V
V
EBO  
I
4
A
C
PW≤300µs, duty cycle≤10%  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
8
A
CP  
I
1.5  
2
A
B
W
W
˚C  
˚C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25˚C  
25  
150  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
10  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
=400V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=5V, I =0  
10  
50  
EBO  
C
h
1*  
=5V, I =0.4A  
C
=5V, I =2A  
C
=5V, I =10mA  
C
15  
FE  
h
2
10  
10  
FE  
FE  
h
3
* : The h 1 of the 2SC4160 is classified as follows.  
Continued on next page.  
FE  
When specifying the h 1 rank, specify two or more ranks in principle.  
FE  
Rank  
L
M
N
h
15 to 30  
20 to 40  
30 to 50  
FE  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
O2500TS (KOTO)/D0198HA (KT)/3267TA, TS No.2481–1/4  
1234

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