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2SC4116YTE85L

更新时间： 2024-02-04 04:38:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 318K
描述
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SC4116YTE85L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.7
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.15 A
基于收集器的最大容量：3.5 pF集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：0.1 W最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

2SC4116YTE85L 数据手册

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2SC4116  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC4116  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
High voltage and high current: V  
= 50 V, I = 150 mA (max)  
C
CEO  
•
•
•
•
•
Excellent h  
linearity: h  
(I = 0.1 mA)/h  
(I = 2 mA) = 0.95 (typ.)  
FE C  
FE  
FE  
C
High h  
h
= 70~700  
FE: FE  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SA1586  
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
60  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
5
V
I
150  
30  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
125  
−55~125  
C
T
j
T
stg  
JEDEC  
JEITA  
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
SC-70  
2-2E1A  
TOSHIBA  
Weight: 0.006 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 60 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
0.1  
0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
(Note)  
V
= 6 V, I = 2 mA  
70  
⎯
700  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= 100 mA, I = 10 mA  
⎯
80  
⎯
0.1  
⎯
0.25  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= 10 V, I = 1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
2.0  
3.5  
ob  
E
= 6 V, I = 0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
R
= 10 kΩ,  
g
Note: h classification O (O): 70~140, Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400, BL (L): 350~700, ( ) marking symbol  
FE  
Marking  
1
2007-11-01  
1234

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与2SC4116YTE85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4116YTE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SC4116-Y-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4117 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC4117 TYSEMI

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 		High voltage High hFE Low noise Small package
2SC4117 KEXIN

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 		Silicon NPN Epitaxial
2SC4117(TE85L,F) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC4117BL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
2SC4117-BL TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP
2SC4117-BL(TE85L) TOSHIBA

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 		2SC4117-BL(TE85L)
2SC4117-BL,LF(B TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor

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