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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4117-BL | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP |
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| 2SC4117-BL(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
2SC4117-BL(TE85L) |
|
| 2SC4117-BL,LF(B | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC4117BLTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SC4117GR | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
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| 2SC4117-GR | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
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| 2SC4117-GR(5RSAW,F | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4117-GR(T5LMATF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4117-GR(T5LMDNF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4117-GR(T5LTYDF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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