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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.1 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4117BLTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SC4117GR | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
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| 2SC4117-GR | TOSHIBA |
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Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
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| 2SC4117-GR(5RSAW,F | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4117-GR(T5LMATF | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4117-GR(T5LMDNF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4117-GR(T5LTYDF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4117-GR(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
2SC4117-GR(TE85L) |
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| 2SC4117-GR,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC4117-GR,LF(T | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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