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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC4093-T1
2SC4093-T1 PDF预览

2SC4093-T1

更新时间： 2024-11-24 22:06:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器晶体管微波光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 71K
描述
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD

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2SC4093-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.56
其他特性：LOW NOISE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：0.95 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：7000 MHzBase Number Matches：1

2SC4093-T1 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC4093  
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
4 PINS MINI MOLD  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
The 2SC4093 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low  
noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.  
(Units: mm)  
+0.2  
−0.3  
+0.2  
−0.1  
It has large dynamic range and good current characteritics, and is  
contatined in a 4 pins mini-mold package which enables high-isolation  
gain.  
2.8  
1.5  
FEATURES  
•
Low Noise  
NF = 1.1 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz  
•
High Power Gains  
S21e 2 = 13 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz  
5°  
5°  
5°  
ORDERING INFORMATION  
PART  
5°  
QUANTITY  
NUMBER  
PACKING STYLE  
2SC4093-T1 3 Kpcs/Reel. Embossed tape 8 mm wide.  
Pin3 (Base), Pin4 (Emitter) face to perforation side  
PIN CONNECTIONS  
1. Collector  
2. Emitter  
of the tape.  
3. Base  
4. Emitter  
2SC4093-T2 3 Kpcs/Reel. Embossed tape 8 mm wide.  
Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face to perforation  
side of the tape.  
* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation  
sample.  
Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4093)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
20  
12  
V
V
3.0  
V
100  
mA  
mW  
C
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
200  
Tj  
150  
Tstg  
65 to +150  
C
Document No. P10365EJ3V1DS00 (3rd edition)  
Date Published March 1997 N  
Printed in Japan  
©
1991  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4093-T1-A NEC

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