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2SC3842_2014

更新时间： 2024-11-21 01:19:43

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3842_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3842

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High voltage ,high speed

·High current capability

APPLICATIONS

·For use in TV horizontal output and

Power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

MAX

600

400

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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