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2SC3851A

更新时间： 2024-09-09 20:29:23

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急速微 - ALLEGRO		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	22K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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2SC3851A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	TO-220F, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.43
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	25 W
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SC3851A 数据手册

2 S C3 8 5 1 /3 8 5 1 A

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1488/A)

Application : Audio and PPC High Voltage Power Supply, and General Purpose

(Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

■Absolute maximum ratings

External Dimensions FM20(TO220F)

Symbol

2SC3851A

2SC3851

Unit

Symbol Conditions

2SC3851

2SC3851A

Unit

±0.2

4.2

±0.2

10.1

0.5

2.8

VCBO

VCEO

VEBO

100

100max

µA

I^CBO

V^CB=

100

±0.2

100max

60min

ø3.3

IEBO

V^EB=6V

µA

V(BR)CEO

hFE

I^C=25mA

80min

40 to320

V^CE=4V, IC=1A

I^C=2A, IB=0.2A

V^CE=12V, IE=–0.2A

V^CB=10V, f=1MHz

0.5max

15typ

25(Tc=25°C)

150

VCE(sat)

°C

MHz

±0.15

1.35

±0.15

1.35

60typ

Tstg

–55 to +150

COB

+0.2

-0.1

0.85

+0.2

-0.1

0.45

±0.2

2.4

2.54

±0.2

2.2

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 2.0g

a. Type No.

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

I^B2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

C E

b. Lot No.

–5

200

–200

0.2typ

1typ

0.3typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

40mA

1.0

30mA

20mA

0.5

10mA

5mA

0.005 0.01

0.05

0.1

0.5

1.0

1.2

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current IB(A)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

j-a t Characteristics

(VCE=4V)

500

125˚C

Typ

100

0.01

0.5

100

1000

0.05 0.1

0.5

0.1

0.5

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

Time t(ms)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

0.1

Without Heatsink

0.05

–0.005

–0.1

–0.5 –1

–4

100

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current IE(A)

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2SC3852	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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2SC3852_07	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor
2SC3852A	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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