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2SC3852

更新时间： 2024-11-24 20:16:15
品牌 Logo 应用领域
急速微 - ALLEGRO 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 22K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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2SC3852 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：500JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：25 W
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2SC3852 数据手册

  
Hig h h FE  
CE (s a t )  
L
OW  
V
2 S C3 8 5 2 /3 8 5 2 A  
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor  
Application : Driver for Solenoid and Motor, Series Regulator and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
(Ta=25°C)  
■
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
Symbol 2SC3852 2SC3852A  
2SC3852 2SC3852A  
Unit  
Symbol  
Conditions  
Unit  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
80  
60  
100  
80  
10max  
V
V
µA  
V
ICBO  
80  
100  
VCB=  
6
3
1
IEBO  
VEB=6V  
±0.2  
ø3.3  
100max  
V
µA  
V
a
b
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
60min  
80min  
A
IB  
VCE=4V, IC=0.5A  
IC=2A, IB=50mA  
VCE=12V, IE=–0.2A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
500min  
0.5max  
15typ  
PC  
25(Tc=25°C)  
150  
VCE(sat)  
fT  
V
MHz  
pF  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
Tj  
±0.15  
1.35  
Tstg  
–55 to +150  
COB  
50typ  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
±0.2  
2.2  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
B
C E  
b. Lot No.  
20  
20  
1.0  
10  
–5  
15  
–30  
0.8typ  
3.0typ  
1.2typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
3
2
1
0
1.0  
3
5mA  
1.0  
0.5  
2
1
0
3mA  
2mA  
1mA  
3A  
2A  
0.5mA  
IC=1A  
0
0.001  
0
1
2
3
4
5
6
0.005 0.01  
0.05 0.1  
0.5  
1
0
0.5  
1.0 1.1  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
2000  
2000  
125˚C  
1000  
500  
1000  
Typ  
500  
1
VCB=10V  
IE=–2A  
100  
0.01  
100  
0.01  
0.5  
1
10  
100  
1000  
0.1  
0.5  
1
3
0.1  
0.5  
1
3
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
30  
20  
10  
5
30  
20  
10  
Typ  
1
0.5  
10  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
Without Heatsink  
0.05  
3
0
0
5
50  
100  
–0.005 –0.01  
–0.05 –0.1  
–0.5 –1  
–2  
10  
0
50  
100  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
77  
1

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