2SC3850

更新时间： 2024-02-10 04:59:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	119K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3850 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC3850 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3850

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Good linearity of h_FE

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

500

400

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

T_a=25℃

T_C=25℃

2.5

P_C

Collector power dissipation

125

150

-55~150

T_j

Junction temperature

Storage temperature

℃

T_stg

12 3

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