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2SC3834G-TND-R

更新时间： 2024-02-28 22:56:44

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Power Bipolar Transistor,

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2SC3834G-TND-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3834G-TND-R 数据手册

UTC2SC3834

NPNEPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

SWITCH NPN TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC 2SC3834 is an epitaxial planar type NPN silicon

transistor.

APLLICATION

*Humidifier,DC-DC converter,and general purpose.

TO-220

1: BASE 2:COLLECTOR 3: EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

200

120

Base Current

Collector Current (PULSE)

Collector Power Dissipation( Tc=25°C )

Junction Temperature

Storage Temperature

TSTG

150

°C

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ^{(Ta=25°C,unless otherwise specified)}

PARAMETER

Collector Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

SYMBOL

BVCEO

ICBO

TEST CONDITIONS

Ic= 50mA

MIN TYP MAX UNIT

120

μA

VCB=200V, IE=0

VEB= 8V, Ic =0

VCE= 4V,Ic= 3A

100

220

0.5

IEBO

hFE

DC Current Transfer Ratio

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

VCE(sat) Ic=3A ,IB=0.3A

VBE(sat)

Ic=3A ,IB=0.3A

VCE=12V,IE=-0.5mA,f=100MHz

VCB= 10V, IE= 0 A,f=1MHz

1.2

110

MHz

Output Capacitance

Cob

TYPE SWITCHING CHARACTERISTCS (Common Emitter)

Ton(μA) Tstg(μA) Tf (μA)

VBB2(V)

IB2(A)

Vcc(V)

RL(Ω)

Ic (A)

VBB1(V)

IB1(A)

0.5(max)

16.7

-5

0.3

-0.6

0.5(max) 3.0(max)

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R203-026,A

12 3

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