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2SC3835

更新时间： 2024-01-13 17:35:09
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三垦 - SANKEN 晶体转换器晶体管开关DC-DC转换器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose)

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2SC3835 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：MT-100, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.12最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：70 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

2SC3835 数据手册

  
2 S C3 8 3 5  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor)  
Application : Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
2SC3835  
Conditions  
2SC3835  
Symbol  
ICBO  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
200  
VCB=200V  
VEB=8V  
100max  
100max  
120min  
70 to 220  
0.5max  
1.2max  
30typ  
V
±0.1  
2.0  
9.6  
120  
IEBO  
V
8
V(BR)CEO  
hFE  
IC=50mA  
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=3A  
IC=3A, IB=0.3A  
IC=3A, IB=0.3A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
7(Pulse14)  
3
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
70(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
Tj  
MHz  
pF  
3
Tstg  
110typ  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
COB  
–55 to +150  
1.05  
0.65  
1.4  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
RL  
(Ω)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tf  
(µs)  
VCC  
(V)  
IC  
(A)  
tstg  
(µs)  
b. Lot No.  
16.7  
10  
–5  
0.3  
–0.6  
0.5max  
0.5max  
50  
3
3.0max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
2.6  
7
6
5
4
3
2
7
6
5
4
3
2
1
2
1
0
IB=10mA  
1
0
0
0
1
2
3
4
0.005 0.01  
0.05  
0.1  
0.5  
1
0
0.5  
1.0 1.1  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
200  
100  
50  
300  
Typ  
100  
50  
1
0.5  
0.4  
20  
0.01  
20  
0.02  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
7
0.1  
0.5  
1
5
7
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
70  
60  
20  
10  
5
30  
20  
50  
40  
30  
20  
10  
1
0.5  
10  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.05  
0
–0.01  
5
10  
50  
120  
200  
–0.05 –0.1  
–0.5 –1  
–5  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
75  
1

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2SC3835 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC3835 ALLEGRO

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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