2SC3835

更新时间： 2024-02-27 12:19:47

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描述
SWITCH NPN TRANSISTOR

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2SC3835 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PN
包装说明：	TO-3PN, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3835 数据手册

UTC2SC3835

NPNEPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

SWITCH NPN TRANSISTOR

APLLICATION

*Humidifier,DC-DC converter,and general purpose.

TO-3PN

1: BASE 2:COLLECTOR 3: EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

200

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

120

Collector Current

°C

Collector Current (PULSE)

Collector Power Dissipation( Tc=25°C )

Junction Temperature

Storage Temperature

TSTG

150

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ^{(Ta=25°C,unless otherwise specified)}

PARAMETER

Collector Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

DC Current Transfer Ratio

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

SYMBOL

BVCEO

ICBO

TEST CONDITIONS

Ic= 50mA

MIN TYP MAX UNIT

120

μA

VCB=200V, IE=0

VEB= 8V, Ic =0

VCE= 4V,Ic= 3A

100

220

0.5

IEBO

hFE

VCE(sat) Ic=3A ,IB=0.3A

VBE(sat)

Cob

ton

Ic=3A ,IB=0.3A

1.2

VCE=12V,IE=-0.5mA

VCB= 10V, IE= 0 A,f=1MHz

See specified Test Circuit

110

MHz

µs

Output Capacitance

Turn-on Time

0.5

3.0

0.5

Storage Time

Fall Time

tstg

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R214-002,A

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