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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3835G-B-T3N-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| 2SC3835L-A-T3P-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2SC3835L-C-T3P-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2SC3835O | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC3835PT | SWST |
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功率三极管 |
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| 2SC3836 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3836RF | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
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| 2SC3836RR | RENESAS |
获取价格 |
300 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
|
| 2SC3836TZ | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
|
| 2SC3836TZ | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
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