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2SC3837KT146

更新时间： 2024-11-18 14:39:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 187K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, SMT3, SC-59, 3 PIN

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2SC3837KT146 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.06
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1.5 pF
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1500 MHzBase Number Matches：1

2SC3837KT146 数据手册

 浏览型号2SC3837KT146的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3837KT146的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC3837KT146的Datasheet PDF文件第4页 
High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz)  
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz)  
2) Small rbb’Cc and high gain. (Typ. 6ps)  
3) Small NF.  
2SC5661  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
Packaging specifications and hFE  
ROHM : VMT3  
2SC4725  
Type  
2SC4725  
2SC4082  
2SC3837K  
2SC5661  
VMT3  
NP  
Package  
EMT3  
NP  
UMT3  
NP  
SMT3  
NP  
hFE  
∗
∗
∗
∗
Marking  
Code  
AC  
1C  
AC  
AC  
TL  
T106  
T146  
T2L  
Basic ordering unit  
(pieces)  
8000  
3000  
3000  
3000  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
∗ Denotes hFE  
ROHM : EMT3  
EIAJ : SC-75A  
2SC4082  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
30  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
20  
3
50  
V
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
I
C
mA  
2SC5661, 2SC4725  
2SC4082, 2SC3837K  
0.15  
Collector power  
dissipation  
P
C
W
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
0.2  
Each lead has same dimensions  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
2.9  
1.1  
0.8  
2SC3837K  
0.4  
( )  
3
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
(
)
( )  
1
2
0.95 0.95  
1.9  
0.15  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
Each lead has same dimensions  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
30  
20  
3
−
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=
=
=
10μA  
1mA  
C
V
E
10μA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
82  
600  
−
−
−
0.5  
0.5  
0.5  
180  
−
1.5  
13  
−
μA  
μA  
V
V
V
CB  
EB  
=
=
15V  
2V  
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
−
I
C
/I  
B
=
20mA/4mA  
h
−
V
V
V
V
V
CE/IC = 10V/10mA  
f
T
1500  
0.9  
6
MHz  
pF  
ps  
dB  
CE  
CB  
CB  
CE  
=
=
=
=
10V , I  
10V , I  
10V , I  
12V , I  
E
E
C
C
= −10mA , f  
=
200MHz  
1MHz  
10mA , f 31.8MHz  
2mA , f 200MHz , Rg = 50Ω  
Transition frequency  
Output capacitance  
Collector-base time constant  
Noise factor  
Cob  
rbb'·Cc  
NF  
=
=
=
0A , f =  
=
4.5  
=
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.  
Please consider to design ESD protection circuit.  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.C  
1/3  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3837KT146/L ROHM

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