5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3835L-A-T3P-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2SC3835L-C-T3P-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2SC3835O | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC3835PT | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| 2SC3836 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SC3836RF | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
|
| 2SC3836RR | RENESAS |
获取价格 |
300 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
|
| 2SC3836TZ | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
|
| 2SC3836TZ | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
|
| 2SC3837K | ROHM |
获取价格 |
High-Frequency Amplifier Transistor (18V, 50mA, 1.5GHz) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
