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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.51 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 230 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3836TZ | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
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| 2SC3836TZ | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
|
| 2SC3837K | ROHM |
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High-Frequency Amplifier Transistor (18V, 50mA, 1.5GHz) |
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| 2SC3837K | KEXIN |
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Power Transistor |
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| 2SC3837K | TYSEMI |
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High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) Small rbb.Cc and high gain. (Typ. 6ps) |
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| 2SC3837K | BL Galaxy Electrical |
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20V,0.05A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| 2SC3837KL | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
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| 2SC3837KM | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC3837KN | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC3837KP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
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