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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3632-Z-T1M | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, MP-3, SC-63, |
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| 2SC3632-Z-T2 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, MP-3, SC-63, |
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| 2SC3632-Z-T2K | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, MP-3, SC-63, |
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| 2SC3632-Z-T2M | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, MP-3, SC-63, |
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| 2SC3636 | SANYO |
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Very High-Definition Display Horizontal Deflection Output Applications |
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| 2SC3636 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3636 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3637 | SANYO |
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Very High-Definition Display Horizontal Deflection Output Applications |
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| 2SC3637 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3637 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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