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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-218 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.85 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 80 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3637 | SANYO |
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Very High-Definition Display Horizontal Deflection Output Applications |
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| 2SC3637 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3637 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3637 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3637_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3637_2014 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3638 | SANYO |
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Very High-Definition Display Horizontal Deflection Output Applications |
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| 2SC3638 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3638 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3638_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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