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2SC3637

更新时间： 2024-01-02 06:00:12

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	201K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3637 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	500 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	90 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2 V

2SC3637 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3637

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High voltage ,high speed

·High reliability

APPLICATIONS

·Ultrahigh-definition CRT display horizontal

deflection output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

900

500

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

ꢀ

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