5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3568M | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186VAR |
|
| 2SC3568-M | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC3569 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3569 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3569 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING |
|
| 2SC3569K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186VAR |
|
| 2SC3569-K | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC3569L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186VAR |
|
| 2SC3569-L | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC3569M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186VAR |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
