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2SC3563

更新时间： 2024-11-09 06:20:19

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	219K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC3563 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SC3563 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3563

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 450V (Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Switching regulator and high voltage switching applications.

·High speed DC-DC converter applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

600

450

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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