5秒后页面跳转
2SC3567-M PDF预览

2SC3567-M

更新时间: 2024-11-09 13:04:19
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 176K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SC3567-M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.41最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC3567-M 数据手册

 浏览型号2SC3567-M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3567-M的Datasheet PDF文件第3页 

与2SC3567-M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3568 NEC

获取价格

NPN SILICON POWER TRANSISTOR
2SC3568 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC3568 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC3568-AZ RENESAS

获取价格

2SC3568-AZ
2SC3568K NEC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186VAR
2SC3568-K NEC

获取价格

暂无描述
2SC3568-K-AZ NEC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3568L NEC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186VAR
2SC3568-L NEC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3568M NEC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186VAR