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2SC3324BLTE85L

更新时间： 2024-01-29 22:51:17
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 266K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal

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2SC3324BLTE85L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.73
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：350JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

2SC3324BLTE85L 数据手册

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2SC3324  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC3324  
Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
High voltage: V  
= 120 V  
CEO  
Excellent h  
linearity: h  
(I = 0.1 mA)/ h (I = 2 mA)  
C FE C  
FE  
FE  
= 0.95 (typ.)  
= 200~700  
•
•
•
•
High h  
h
FE: FE  
Low noise: NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max)  
Complementary to 2SA1312  
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
120  
120  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
5
V
I
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
Base current  
I
20  
B
SC-59  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
C
TOSHIBA  
2-3F1A  
T
j
125  
Weight: 0.012 g (typ.)  
T
stg  
−55~125  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Marking  
1
2007-11-01  
12345

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与2SC3324BLTE85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3324GR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
2SC3324-GR TOSHIBA

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 		Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications
2SC3324GRTE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm
2SC3324TE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm
2SC3324TE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm
2SC3325 TYSEMI

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 		Excellent hFE linearity : hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA).
2SC3325 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY SOW POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATI
2SC3325 KEXIN

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial
2SC3325(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC3325_07 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Low Power Amplifier Applications

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