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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.73 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3324GR | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
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| 2SC3324-GR | TOSHIBA |
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Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications |
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| 2SC3324GRTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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| 2SC3324TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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| 2SC3324TE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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| 2SC3325 | TYSEMI |
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Excellent hFE linearity : hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA). |
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| 2SC3325 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY SOW POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATI |
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| 2SC3325 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3325(TE85L,F) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC3325_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Low Power Amplifier Applications |
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