Datasheet > 2SC3325

2SC3325

更新时间： 2024-02-14 10:03:33

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	59K
描述
Excellent hFE linearity : hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA).

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3325 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.2 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

2SC3325 数据手册

Product specification

2SC3325

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Excellent hFE linearity : h^FE(2) = 25 (min) (V^CE= 6 V, I^C= 400 mA).

High voltage: V^CEO= 50 V (min).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

Small package.

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

500

Base current

I^B

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P^C

200

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

0.1

Unit

ìA

V^CB= 50 V, I^E= 0

V^EB= 5 V, I^C= 0

I^EBO

0.1

ìA

h^FE(1) V^CE= 1 V, I^C= 100 mA

h^FE(2) * V^CE= 6 V, I^C= 400 mA

V^{CE (sat)}I^C= 100 mA, I^B= 10 mA

240

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.1

0.8

300

0.25

V^BE

V^CE= 1 V, I^C= 100 mA

VCE = 6 V, IC = 20 mA

Transition frequency

MHz

Collector output capacitance

* classification O: 25 (min), Y: 40 (min).

C^ob

V^CB= 6 V, I^E= 0, f = 1 MHz

hFE Classification

Marking

Rank

hFE

70 140

120 240

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

中文翻译

下载PDF

与2SC3325相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3325(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SC3325_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Low Power Amplifier Applications
2SC3325O	TOSHIBA	获取价格	Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switc
2SC3325-O	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
2SC3325-O(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	2SC3325-O(TE85L)
2SC3325-O(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,500MA I(C),SC-59
2SC3325OTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC3325OTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC3325TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC3325TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma

与2SC3325相关文章

共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
2024-06-26

9
US1M数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
2024-06-26

3
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
2024-06-26

3
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-26

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3325

2SC3325 技术参数

2SC3325 数据手册

与2SC3325相关器件

与2SC3325相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3325

2SC3325 技术参数

2SC3325 数据手册

与2SC3325相关器件

与2SC3325相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？