Datasheet > 2SC3052

2SC3052

更新时间： 2024-01-23 02:17:16

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	42K
描述
NPN Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3052 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.44
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	400
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	265	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3052 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Transistor

2SC3052

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Collector current :IC=0.2A

Power dissipation :PC=0.15W

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

Unit

Collector current

200

power dissipation *

150

Junction temperature

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

* . 0.7 mmx16 cm²ceramic substrate

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

IC = 100 A,IE=0

IC=100 A,IB=0

IE=100 A,IC=0

VCB=50V,IE=0

0.1

800

Emitter cut-off current

IEBO

VEB=6V,IC=0

VCE=6V,IC=1mA

VCE=6V,IC=0.1mA

IC=100mA,IB= 10mA

IC= 100mA,IB= 10mA

VCE=6V, IE=0, f=1MHz

150

DC current gain

hFE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector output capacitance

Noise figure

VCE(sat)

VBE(sat)

Cob

0.3

MHz

VCE=6V,IE=-0.1mA, f=1KHz, RG=2K

VCE= 6V, IC= 10mA

Transition frequency

180

hFE Classification

Marking

Rank

hFE

150 to 300

250 to 500

400 to 800

www.kexin.com.cn

www.kesenes.com

下载PDF

与2SC3052相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3052_10	ISAHAYA	FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE	获取价格
2SC3052_11	SECOS	NPN Plastic-Encapsulate Transistor	获取价格
2SC3052_15	WINNERJOIN	TRANSISTOR (NPN)	获取价格
2SC3052-12-1E	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236	获取价格
2SC3052-12-1F	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236	获取价格
2SC3052-12-1G	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236	获取价格