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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC3052-G
2SC3052-G PDF预览

2SC3052-G

更新时间： 2024-01-08 14:06:57
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 293K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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2SC3052-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.44
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

2SC3052-G 数据手册

 浏览型号2SC3052-G的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
2SC3052  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(NPN)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
0.15  
0.2  
50  
W (Tamb=25OC)  
Collector current  
ICM :  
Collector-base voltage  
*
*
*
A
V
:
V
(BR)CBO  
SOT-23  
Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
2
EMITTER  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
3
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Collector-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)  
SYMBOL  
MIN  
50  
MAX  
UNITS  
V
-
-
V
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
C
E
V
Collector-emitter breakdown voltage (I = 100µA, I =0)  
50  
C
B
Emitter-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)  
V
-
V
6
-
E
C
(BR)EBO  
Collector cut-off current (V = 50V, I =0)  
I
µA  
µA  
-
CB  
E
0.1  
CBO  
I
-
Emitter cut-off current (V = 6V, I =0)  
EBO  
EB  
C
0.1  
DC current gain (V = 6V, I = 1mA)  
150  
50  
-
800  
CE  
C
h
FE  
DC current gain (V = 6V, I = 0.1mA)  
CE  
B
-
0.3  
1
-
V
V
Collector-emitter saturation voltage (I = 100mA, I = 10mA)  
CE(sat)  
C
B
V
Base - emitter saturation voltage (I = 100mA, I = 10mA)  
BE(sat)  
-
V
C
B
Transition frequency (V = 6V, I = 10mA)  
f
180  
-
MHz  
CE  
C
T
Collector output capacitance (V = 6V, I = 0, f= 1MHZ)  
CE  
Cob  
NF  
-
-
4
pF  
dB  
E
Noise figure (V = 6V, I = -0.1mA, f= 1KHZ, Rg=2KΩ)  
15  
CE  
E
CLASSIFICATION OF h  
FE(1)  
F
G
RANK  
Range  
Marking  
E
150-300  
LE  
250-500  
LF  
400-800  
LG  
2006-3  
12

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