2SC3055

更新时间： 2024-11-11 06:24:27

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	57K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3055 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC3055 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3055

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High breakdown voltage

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

450

400

Open collector

I_CP

Collector current-pulse

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

PW≤300μs,Duty cycle≤10%

T_C=25℃

P_C

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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